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IXTA80N10T
IXTP80N10T
140
Fig. 7. Input Admittance
80
Fig. 8. Transconductance
120
100
70
60
T J = - 40oC
25oC
50
80
40
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
30
20
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 25A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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